Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
2Mbit
Organización
256K x 8 bit
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Ancho del bus de datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
16ns
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN
Número de pines
8
Dimensiones
5 x 6 x 0.7mm
Largo
6mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Anchura
5mm
Altura
0.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Bits de Palabra
8bit
Número de palabras
256K
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2 V
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Volver a intentar más tarde
$ 24.176
$ 24.176 Each (Sin IVA)
$ 28.769
$ 28.769 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 24.176
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1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 24.176 |
| 10 - 24 | $ 19.971 |
| 25 - 99 | $ 19.436 |
| 100 - 499 | $ 18.947 |
| 500+ | $ 18.491 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
2Mbit
Organización
256K x 8 bit
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Ancho del bus de datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
16ns
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN
Número de pines
8
Dimensiones
5 x 6 x 0.7mm
Largo
6mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Anchura
5mm
Altura
0.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Bits de Palabra
8bit
Número de palabras
256K
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2 V
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.


