Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
256kbit
Organización
32K x 8 bit
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
16ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
4 x 4.5 x 0.7mm
Largo
4.5mm
Profundidad
4mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
0.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
32K
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
$ 19.940
$ 9.970 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 23.729
$ 11.864,30 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
$ 19.940
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 9.970 | $ 19.940 |
| 10 - 18 | $ 7.678 | $ 15.356 |
| 20 - 98 | $ 7.481 | $ 14.962 |
| 100 - 498 | $ 7.284 | $ 14.568 |
| 500+ | $ 7.111 | $ 14.222 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
256kbit
Organización
32K x 8 bit
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
16ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
4 x 4.5 x 0.7mm
Largo
4.5mm
Profundidad
4mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
0.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
32K
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.


