Memoria FRAM Infineon FM25V02A-DG, 8 pines, DFN, SPI, 256kbit, 32K x 8 bits, 16ns, 2 V a 3,6 V

Código de producto RS: 124-2986Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: FM25V02A-DG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

256kbit

Organización

32K x 8 bit

Tipo de Interfaz

De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

16ns

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

DFN

Conteo de Pines

8

Dimensiones del Cuerpo

4 x 4.5 x 0.7mm

Largo

4.5mm

Profundidad

4mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

0.7mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C.

Número de Palabras

32K

Temperatura Mínima de Operación

–40 °C

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2 V

Número de Bits de Palabra

8bit

Datos del producto

FRAM, Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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$ 19.940

$ 9.970 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 23.729

$ 11.864,30 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)

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Seleccionar tipo de embalaje

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
2 - 8$ 9.970$ 19.940
10 - 18$ 7.678$ 15.356
20 - 98$ 7.481$ 14.962
100 - 498$ 7.284$ 14.568
500+$ 7.111$ 14.222

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Especificaciones

Tamaño de la Memoria

256kbit

Organización

32K x 8 bit

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Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

16ns

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

DFN

Conteo de Pines

8

Dimensiones del Cuerpo

4 x 4.5 x 0.7mm

Largo

4.5mm

Profundidad

4mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

0.7mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C.

Número de Palabras

32K

Temperatura Mínima de Operación

–40 °C

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2 V

Número de Bits de Palabra

8bit

Datos del producto

FRAM, Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
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Bajo consumo

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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