Memoria FRAM Infineon FM25V01A-G, 8 pines, SOIC, SPI, 128kbit, 16k x 8 bits, 16ns, 2 V a 3,6 V

Código de producto RS: 124-2985Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: FM25V01A-G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

128kbit

Organización

16k x 8 bit

Tipo de Interfaz

De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

16ns

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOIC

Conteo de Pines

8

Dimensiones del Cuerpo

4.97 x 3.98 x 1.47mm

Largo

4.97mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Profundidad

3.98mm

Altura

1.47mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C.

Número de Palabras

16k

Temperatura Mínima de Operación

–40 °C

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2 V

Número de Bits de Palabra

8bit

Datos del producto

FRAM, Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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$ 15.026

$ 7.513 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 17.881

$ 8.940,47 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)

Memoria FRAM Infineon FM25V01A-G, 8 pines, SOIC, SPI, 128kbit, 16k x 8 bits, 16ns, 2 V a 3,6 V
Seleccionar tipo de embalaje

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
2 - 8$ 7.513$ 15.026
10 - 18$ 5.576$ 11.152
20 - 98$ 5.434$ 10.868
100 - 498$ 5.292$ 10.584
500+$ 5.166$ 10.332

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Especificaciones

Tamaño de la Memoria

128kbit

Organización

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Tipo de Interfaz

De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

16ns

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOIC

Conteo de Pines

8

Dimensiones del Cuerpo

4.97 x 3.98 x 1.47mm

Largo

4.97mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Profundidad

3.98mm

Altura

1.47mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C.

Número de Palabras

16k

Temperatura Mínima de Operación

–40 °C

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2 V

Número de Bits de Palabra

8bit

Datos del producto

FRAM, Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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