AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM25L16B-G, 8 pines, SOIC, SPI, 16kbit, 2K x 8 bits, 20ns, 2,7 V a 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
16kbit
Organización
2K x 8 bits
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
20ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Largo
4.97mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Profundidad
3.98mm
Altura
1.48mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Bits de Palabra
8bit
Estándar de automoción
AEC-Q100
Número de Palabras
2K
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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$ 9.450
$ 1.890 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 11.246
$ 2.249,10 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 10 | $ 1.890 | $ 9.450 |
| 15 - 25 | $ 1.455 | $ 7.275 |
| 30 - 95 | $ 1.402 | $ 7.010 |
| 100 - 495 | $ 1.247 | $ 6.235 |
| 500+ | $ 1.213 | $ 6.065 |
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SOIC
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8
Dimensiones del Cuerpo
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Largo
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3.6 V
Profundidad
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Altura
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
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La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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