AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM25CL64B-DG, 8 pines, DFN, SPI, 64kbit, 8K x 8 bits, 20ns, 2,7 V a 3,65 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
64kbit
Organización
8K x 8 bits
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
20ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
4 x 4.5 x 0.7mm
Longitud
4.5mm
Profundidad
4mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.65 V
Altura
0.7mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
8K
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Estándar de automoción
AEC-Q100
Datos del producto
F-RAM de Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
20ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
4 x 4.5 x 0.7mm
Longitud
4.5mm
Profundidad
4mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.65 V
Altura
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Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
8K
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Estándar de automoción
AEC-Q100
Datos del producto
F-RAM de Cypress Semiconductor
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Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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