AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM25CL64B-DG, 8 pines, DFN, SPI, 64kbit, 8K x 8 bits, 20ns, 2,7 V a 3,65 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
64kbit
Organización
8K x 8 bit
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
20ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
4 x 4.5 x 0.7mm
Largo
4.5mm
Profundidad
4mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3,65 V
Altura
0.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
8K
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Estándar de automoción
AEC-Q100
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
$ 8.758
$ 4.379 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 10.422
$ 5.211,01 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
$ 8.758
$ 4.379 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 10.422
$ 5.211,01 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
Estándar
2
Volver a intentar más tarde
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 4.379 | $ 8.758 |
| 10 - 48 | $ 3.796 | $ 7.592 |
| 50 - 98 | $ 3.686 | $ 7.372 |
| 100 - 498 | $ 3.300 | $ 6.600 |
| 500+ | $ 3.158 | $ 6.316 |
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
64kbit
Organización
8K x 8 bit
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
20ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
4 x 4.5 x 0.7mm
Largo
4.5mm
Profundidad
4mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3,65 V
Altura
0.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
8K
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Estándar de automoción
AEC-Q100
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos