AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM25040B-G, 8 pines, SOIC, SPI, 4kbit, 512 x 8 bits, 20ns, 4,5 V a 5,5 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
4kbit
Organización
512 x 8 bit
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
20ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Largo
4.97mm
Profundidad
3.98mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Altura
1.48mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
512
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Estándar de automoción
AEC-Q100
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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$ 11.655
$ 2.331 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 13.869
$ 2.773,89 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 10 | $ 2.331 | $ 11.655 |
| 15 - 25 | $ 2.262 | $ 11.310 |
| 30 - 95 | $ 2.192 | $ 10.960 |
| 100 - 495 | $ 2.076 | $ 10.380 |
| 500+ | $ 1.934 | $ 9.670 |
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SOIC
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8
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4.97 x 3.98 x 1.48mm
Largo
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Profundidad
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5.5 V
Altura
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
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Datos del producto
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La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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