Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
256kbit
Organización
32K x 8 bit
Tipo de Interfaz
Serie I2C
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
450ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
4.97 x 3.98 x 1.47mm
Largo
4.97mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Profundidad
3.98mm
Altura
1.47mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Bits de Palabra
8bit
Número de Palabras
32K
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2 V
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
$ 11.828
$ 5.914 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 14.075
$ 7.037,66 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
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Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
450ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
4.97 x 3.98 x 1.47mm
Largo
4.97mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Profundidad
3.98mm
Altura
1.47mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Bits de Palabra
8bit
Número de Palabras
32K
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2 V
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.


