AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM24CL16B-G, 8 pines, SOIC, El Cable 2 de serie, Serial-I2C, 16kbit, 2K x 8 bits,
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
16kbit
Organización
2K x 8 bits
Tipo de Interfaz
Serial-2 Wire, Serial-I2C
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
3000ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Largo
4.97mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3,65 V
Profundidad
3.98mm
Altura
1.48mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Bits de Palabra
8bit
Estándar de automoción
AEC-Q100
Número de Palabras
2K
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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$ 9.055
$ 1.811 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 10.775
$ 2.155,09 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 10 | $ 1.811 | $ 9.055 |
| 15 - 25 | $ 1.594 | $ 7.970 |
| 30 - 95 | $ 1.540 | $ 7.700 |
| 100 - 495 | $ 1.370 | $ 6.850 |
| 500+ | $ 1.332 | $ 6.660 |
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8
Dimensiones del Cuerpo
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Largo
4.97mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3,65 V
Profundidad
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Altura
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
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La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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