Módulo IGBT, FF150R12RT4HOSA1, N-Canal, 150 A, 1.200 V, AG-34MM-1 Serie
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
150 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
790 W
Tipo de Encapsulado
AG-34MM-1
Configuration
Series
Tipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Transistor Configuration
Series
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
94 x 34 x 30.2mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Profundidad
34mm
Datos del producto
Módulo IGBT, Infineon
La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.
Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.
Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 95.958
Each (Sin IVA)
$ 114.190
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| 10+ | $ 86.360 |
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N
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Temperatura Mínima de Operación
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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