SRAM Infineon, 4Mbit, 512k x 8 bits, 1MHZ, SOIC-32, VCC máx. 5,5 V

Código de producto RS: 124-2941Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: CY62148ELL-55SXI
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tamaño de la Memoria

4Mbit

Organización

512K x 8 bits

Número de Palabras

512K

Número de Bits de Palabra

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

45ns

Ancho del Bus de Direcciones

8bit

Frecuencia de Reloj

1MHz

Baja Potencia

Yes

Tipo de Temporizador

Asynchronous

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Conteo de Pines

32

Dimensiones del Cuerpo

20.75 x 11.43 x 2.81mm

Altura

2.81mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5.5 V

Profundidad

11.43mm

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

4.5 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+85 °C.

Longitud

20.75mm

Datos del producto

Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor

Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.

SRAM (Static Random Access Memory)

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SRAM Infineon, 4Mbit, 512k x 8 bits, 1MHZ, SOIC-32, VCC máx. 5,5 V
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2$ 20.192
4$ 40.384
6$ 60.576
8$ 80.768
10$ 98.250
12$ 117.900
14$ 137.550
16$ 157.200
18$ 176.850
20$ 191.240
22$ 210.364
24$ 229.488
26$ 248.612
28$ 267.736
30$ 286.860

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14$ 137.550
16$ 157.200
18$ 176.850
20$ 191.240
22$ 210.364
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
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10 - 18$ 9.825$ 19.650
20 - 98$ 9.562$ 19.124
100 - 498$ 9.307$ 18.614
500+$ 9.087$ 18.174

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Brand

Infineon

Tamaño de la Memoria

4Mbit

Organización

512K x 8 bits

Número de Palabras

512K

Número de Bits de Palabra

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

45ns

Ancho del Bus de Direcciones

8bit

Frecuencia de Reloj

1MHz

Baja Potencia

Yes

Tipo de Temporizador

Asynchronous

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Conteo de Pines

32

Dimensiones del Cuerpo

20.75 x 11.43 x 2.81mm

Altura

2.81mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5.5 V

Profundidad

11.43mm

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

4.5 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+85 °C.

Longitud

20.75mm

Datos del producto

Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor

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