Memoria FRAM Infineon CY15B104Q-SXI, 8 pines, SOIC, SPI, 4Mbit, 512K x 8 bits, 16ns, 2 V a 3,6 V

Código de producto RS: 124-2933Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: CY15B104Q-SXI
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tamaño de la Memoria

4Mbit

Organización

512K x 8 bits

Tipo de Interfaz

De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

16ns

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Conteo de Pines

8

Dimensiones del Cuerpo

5.33 x 5.33 x 1.78mm

Longitud

5.33mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Ancho

5.33mm

Altura

1.78mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+85 °C.

Número de Bits de Palabra

8bit

Número de Palabras

512K

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2 V

Datos del producto

F-RAM de Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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$ 38.307

Each (Sin IVA)

$ 45.585

Each (IVA Incluido)

Memoria FRAM Infineon CY15B104Q-SXI, 8 pines, SOIC, SPI, 4Mbit, 512K x 8 bits, 16ns, 2 V a 3,6 V
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 38.307
2$ 76.614
3$ 114.921
4$ 153.228
5$ 158.590
6$ 190.308
7$ 222.026
8$ 253.744
9$ 285.462
10$ 308.710
11$ 339.581
12$ 370.452
13$ 401.323
14$ 432.194
15$ 463.065

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10$ 308.710
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 4$ 38.307
5 - 9$ 31.718
10 - 49$ 30.871
50 - 187$ 30.067
188+$ 29.308

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Infineon

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4Mbit

Organización

512K x 8 bits

Tipo de Interfaz

De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

16ns

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Conteo de Pines

8

Dimensiones del Cuerpo

5.33 x 5.33 x 1.78mm

Longitud

5.33mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Ancho

5.33mm

Altura

1.78mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+85 °C.

Número de Bits de Palabra

8bit

Número de Palabras

512K

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2 V

Datos del producto

F-RAM de Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
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FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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