MOSFET Infineon BTS282ZE3180AATMA2, VDSS 49 V, ID 80 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 110-7112Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BTS282ZE3180AATMA2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

49 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK-7

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

155 nC a 10 V

Profundidad

9.25mm

Material del transistor

Si

Series

TEMPFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Tensión de diodo directa

1.4V

Altura

4.4mm

Datos del producto

MOSFET Infineon TEMPFET™ con interruptor térmico

Infineon TEMPFET™ es un MOSFET de potencia de lógica de canal N con un sensor térmico integrado en chip que funciona cuando la temperatura del chip supera los 160 °C. El ánodo y cátodo del tiristor de detección de temperatura son accesibles y se pueden aislar del MOSFET de potencia.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 8.861

Each (In a Pack of 4) (Sin IVA)

$ 10.544,59

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N

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7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9,5 mΩ

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Mejora

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2V

Tensión de umbral de puerta mínima

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

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Longitud:

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Material del transistor

Si

Series

TEMPFET

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-40 ºC

Tensión de diodo directa

1.4V

Altura

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