MOSFET Infineon BSZ097N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, TSDSON de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TSDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
69 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Serie
BSZ097N10NS5
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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$ 1.160
Each (On a Reel of 5000) (Sin IVA)
$ 1.380,40
Each (On a Reel of 5000) (IVA Incluido)
5000
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
69 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Altura
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