MOSFET Infineon BSS84PH6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 892-2217PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSS84PH6327XTSA2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

170 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Series

SIPMOS®

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

Ω12

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

360 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

1.3mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.24V

Altura

0.9mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®

Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

MOSFET Infineon BSS84PH6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 250.

Producción -

Disponible en múltiplos de 250.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

250

Disponible en múltiplos de 250
250P.O.A.
500P.O.A.
750P.O.A.
1000P.O.A.
1250P.O.A.
1500P.O.A.
1750P.O.A.
2000P.O.A.
2250P.O.A.
2500P.O.A.
2750P.O.A.
3000P.O.A.
3250P.O.A.
3500P.O.A.
3750P.O.A.

P.O.A.

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Producción -

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250

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1000P.O.A.
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1750P.O.A.
2000P.O.A.
2250P.O.A.
2500P.O.A.
2750P.O.A.
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P

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SOT-23-5

Series

SIPMOS®

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

Ω12

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

360 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

1.3mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.24V

Altura

0.9mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®

Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

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