MOSFET Infineon BSS223PWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 310 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 826-9991Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSS223PWH6327XTSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

310 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,1 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Ancho

1.25mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,5 nC a 4,5 V

Altura

0.8mm

Serie

OptiMOS P

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 142

Each (On a Reel of 500) (Sin IVA)

$ 168,98

Each (On a Reel of 500) (IVA Incluido)

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Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

310 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,1 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Ancho

1.25mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,5 nC a 4,5 V

Altura

0.8mm

Serie

OptiMOS P

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.