MOSFET Infineon BSS138WH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 280 mA, SOT-323 (SC-70) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 826-9989Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSS138WH6327XTSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

280 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1 nC a 10 V

Profundidad

1.25mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

0.8mm

Serie

SIPMOS

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

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Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

280 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1 nC a 10 V

Profundidad

1.25mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

0.8mm

Serie

SIPMOS

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon

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