MOSFET Infineon BSS138NH6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 230 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
230 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
SIPMOS
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1 nC a 10 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 149
Each (On a Reel of 500) (Sin IVA)
$ 177,31
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500
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 500 - 1000 | $ 149 | $ 74.500 |
| 1500 - 2500 | $ 104 | $ 52.000 |
| 3000 - 5500 | $ 79 | $ 39.500 |
| 6000+ | $ 73 | $ 36.500 |
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SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
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1
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Longitud:
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Si
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