Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N

Brand

Tipo de canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

230 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

PG-SOT-23

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω

Modo de canal

Enhancement

Disipación de Potencia Máxima

360 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

2.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,4 nC a 10 V

Altura

1mm

Anchura

1.3mm