Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
230 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
PG-SOT-23
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,4 nC a 10 V
Altura
1mm
Anchura
1.3mm
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
P.O.A.
Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Estándar
100
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
230 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
PG-SOT-23
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,4 nC a 10 V
Altura
1mm
Anchura
1.3mm