MOSFET Infineon BSS123NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 190 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
190 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 10 V
Altura
1mm
Serie
OptiMOS
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 158
Each (On a Reel of 500) (Sin IVA)
$ 188,02
Each (On a Reel of 500) (IVA Incluido)
500
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 500 - 1000 | $ 158 | $ 79.000 |
| 1500 - 2500 | $ 145 | $ 72.500 |
| 3000 - 5500 | $ 137 | $ 68.500 |
| 6000+ | $ 134 | $ 67.000 |
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SOT-23-5
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
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±20 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
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1
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Longitud
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Altura
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OptiMOS
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