MOSFET Infineon BSS119NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 190 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
190 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
OptiMOS
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 10 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 311
Each (On a Reel of 250) (Sin IVA)
$ 370,09
Each (On a Reel of 250) (IVA Incluido)
250
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 250 - 250 | $ 311 | $ 77.750 |
| 500 - 1000 | $ 295 | $ 73.750 |
| 1250 - 2250 | $ 266 | $ 66.500 |
| 2500+ | $ 264 | $ 66.000 |
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
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Longitud:
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Si
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