Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
2000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2.2 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10µA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.5mm
Corriente de base
100mA
Altura
1.6mm
Profundidad
3.5mm
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Dimensiones del Cuerpo
6.5 x 3.5 x 1.6mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores Darlington, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
2000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2.2 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10µA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.5mm
Corriente de base
100mA
Altura
1.6mm
Profundidad
3.5mm
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Dimensiones del Cuerpo
6.5 x 3.5 x 1.6mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto