Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2.2 V
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10µA
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.5mm
Altura
1.6mm
Profundidad
3.5mm
Dimensiones del Cuerpo
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Datos del producto
Transistores Darlington, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2.2 V
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10µA
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.5mm
Altura
1.6mm
Profundidad
3.5mm
Dimensiones del Cuerpo
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Datos del producto