MOSFET Infineon BSP320SH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 2,9 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 753-2810PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSP320SH6327XTSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Series

SIPMOS®

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

120 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

1,8 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

9,7 nC a 10 V

Profundidad

3.5mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.5mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.6mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Infineon BSP320SH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 2,9 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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N

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60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Series

SIPMOS®

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

120 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

1,8 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

9,7 nC a 10 V

Profundidad

3.5mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.5mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.6mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

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