MOSFET Infineon BSP149H6327XTSA1, VDSS 200 V, ID 660 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
660 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,8 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
3.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 5 V
Altura
1.6mm
Serie
SIPMOS
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 985,32
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1000
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,8 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
3.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 5 V
Altura
1.6mm
Serie
SIPMOS
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
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