Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Serie
BSL207SP
Tipo de Encapsulado
TSOP6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
12 V
Ancho
1.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,3 nC a 4,5 V
Altura
0.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Serie
BSL207SP
Tipo de Encapsulado
TSOP6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
12 V
Ancho
1.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,3 nC a 4,5 V
Altura
0.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V