MOSFET Infineon BSC750N10NDGATMA1, VDSS 100 V, ID 13 A, TDSON de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
26 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.9mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8 nC a 10 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Serie
OptiMOS 2
País de Origen
Singapore
Datos del producto
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™2 de Infineon
La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede utilizar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una selección de diferentes tipos de encapsulado.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
26 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.9mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8 nC a 10 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Serie
OptiMOS 2
País de Origen
Singapore
Datos del producto
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™2 de Infineon
La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede utilizar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una selección de diferentes tipos de encapsulado.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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