MOSFET Infineon BSC160N10NS3GATMA1, VDSS 100 V, ID 42 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 825-9250Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSC160N10NS3GATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

42 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

OptiMOS™ 3

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

33 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

60 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

6.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

5.35mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

19 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.1mm

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 14.870

$ 1.487 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 17.695

$ 1.769,53 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)

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Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 14.870
20$ 29.740
30$ 44.610
40$ 59.480
50$ 74.350
60$ 89.220
70$ 104.090
80$ 118.960
90$ 133.830
100$ 148.700
110$ 163.570
120$ 178.440
130$ 193.310
140$ 208.180
150$ 223.050

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100$ 148.700
110$ 163.570
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TDSON

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

33 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

60 W

Configuración de transistor

Single

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Material del transistor

Si

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+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

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1.2V

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