MOSFET Infineon BSC12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11,3 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
11.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,5 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.35mm
Altura
1.1mm
Serie
BSC12DN20NS3 G
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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$ 863
Each (On a Reel of 5000) (Sin IVA)
$ 1.026,97
Each (On a Reel of 5000) (IVA Incluido)
5000
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N
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.35mm
Altura
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