MOSFET Infineon BSC12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11,3 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-1952Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSC12DN20NS3GATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

11.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-160 V

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

125 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

50 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

6.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud

5.35mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,5 nC a 10 V

Altura

1.1mm

Serie

BSC12DN20NS3 G

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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$ 1.647

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 1.959,93

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

MOSFET Infineon BSC12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11,3 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 16.470
20$ 32.940
30$ 49.410
40$ 65.880
50$ 78.150
60$ 93.780
70$ 109.410
80$ 125.040
90$ 140.670
100$ 140.800
110$ 154.880
120$ 168.960
130$ 183.040
140$ 197.120
150$ 211.200

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10

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10$ 16.470
20$ 32.940
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50$ 78.150
60$ 93.780
70$ 109.410
80$ 125.040
90$ 140.670
100$ 140.800
110$ 154.880
120$ 168.960
130$ 183.040
140$ 197.120
150$ 211.200

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 40$ 1.647$ 16.470
50 - 90$ 1.563$ 15.630
100 - 240$ 1.408$ 14.080
250 - 490$ 1.267$ 12.670
500+$ 1.204$ 12.040

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Tipo de montaje

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

125 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

50 W

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

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1

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud

5.35mm

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6,5 nC a 10 V

Altura

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