MOSFET Infineon BSC070N10NS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 80 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-1963Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSC070N10NS5ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Serie

BSC070N10NS5

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

6.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5.49mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

30 nC a 10 V

Altura

1.1mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

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$ 2.291

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 2.726,29

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

MOSFET Infineon BSC070N10NS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 80 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 22.910
20$ 45.820
30$ 68.730
40$ 91.640
50$ 114.550
60$ 137.460
70$ 160.370
80$ 183.280
90$ 206.190
100$ 188.800
110$ 207.680
120$ 226.560
130$ 245.440
140$ 264.320
150$ 283.200

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10

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60$ 137.460
70$ 160.370
80$ 183.280
90$ 206.190
100$ 188.800
110$ 207.680
120$ 226.560
130$ 245.440
140$ 264.320
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 90$ 2.291$ 22.910
100 - 490$ 1.888$ 18.880
500 - 990$ 1.813$ 18.130
1000 - 2490$ 1.765$ 17.650
2500+$ 1.723$ 17.230

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Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

6.35mm

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1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5.49mm

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