MOSFET Infineon BSC050N04LSGATMA1, VDSS 40 V, ID 85 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
85 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
36 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.49mm
Altura
1.1mm
Serie
BSC050N04LS G
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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$ 533
Each (On a Reel of 5000) (Sin IVA)
$ 634,27
Each (On a Reel of 5000) (IVA Incluido)
5000
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N
Maximum Continuous Drain Current
85 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
36 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.49mm
Altura
1.1mm
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