MOSFET Infineon BSC0504NSIATMA1, VDSS 30 V, ID 72 A, SuperSO de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SuperSO
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V
Ancho
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5.49mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,1 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Serie
OptiMOS 5
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.65V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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P.O.A.
5
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N
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Tipo de Encapsulado
SuperSO
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V
Ancho
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5.49mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,1 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Serie
OptiMOS 5
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.65V
País de Origen
Malaysia
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MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
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