Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
75 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
156 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63,4 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Ancho
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5.35mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Serie
BSC036NE7NS3 G
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
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P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
75 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
156 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63,4 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Ancho
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5.35mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Serie
BSC036NE7NS3 G
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm