MOSFET Infineon BSC026NE2LS5ATMA1, VDSS 25 V, ID 82 A, SuperSO de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
82 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SuperSO
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
29 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+16 V
Profundidad
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
5.49mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Serie
OptiMOS 5
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Tipo de Encapsulado
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Material del transistor
Si
Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Serie
OptiMOS 5
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
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Malaysia
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MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
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