Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
69 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.49mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
37 nC a 10 V
Profundidad
6.35mm
Altura
1.1mm
Serie
BSC022N04LS
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
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Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
69 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.49mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
37 nC a 10 V
Profundidad
6.35mm
Altura
1.1mm
Serie
BSC022N04LS
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V