Transistor bipolar de RF, BFR193WH6327XTSA1, NPN 80 mA 12 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 8 GHz, Simple

Código de producto RS: 826-9364PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BFR193WH6327XTSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Transistor

NPN

Corriente DC Máxima del Colector

80 mA

Tensión Máxima Colector-Emisor

12 V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Disipación de Potencia Máxima

580 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Tensión Máxima Emisor-Base

2 V

Frecuencia Máxima de Funcionamiento

8000 MHz

Conteo de Pines

3

Número de Elementos por Chip

1

Dimensiones

2 x 1.25 x 0.8mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Datos del producto

Transistores bipolares RF, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

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P.O.A.

Transistor bipolar de RF, BFR193WH6327XTSA1, NPN 80 mA 12 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 8 GHz, Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 100.

Producción -

Disponible en múltiplos de 100.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

100

Disponible en múltiplos de 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

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Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Tensión Máxima Emisor-Base

2 V

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