Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
80 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
580 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
2 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
8000 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.25 x 0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Datos del producto
Transistores bipolares RF, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
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P.O.A.
100
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100
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Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
80 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
580 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
2 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
8000 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.25 x 0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
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