Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
2000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.5 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.01mA
Longitud
2.9mm
Altura
0.9mm
Profundidad
1.3mm
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores Darlington, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
3000
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
2000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.5 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.01mA
Longitud
2.9mm
Altura
0.9mm
Profundidad
1.3mm
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto


