Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
70
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Typical Resistor Ratio
0.047
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.25 x 0.8mm
Typical Input Resistor
2.2 kΩ
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
70
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Typical Resistor Ratio
0.047
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.25 x 0.8mm
Typical Input Resistor
2.2 kΩ