Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
99 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
TO-262
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
77 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.67mm
Profundidad
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.3V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
4.83mm
Serie
AUIRF
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
99 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
TO-262
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
77 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.67mm
Profundidad
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.3V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
4.83mm
Serie
AUIRF
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C