Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
240 A, 397 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
294000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
210 nC @ 10 V
Profundidad
9.65mm
Material del transistor
Si
Series
COOLiRFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.83mm
Datos del producto
MOSFET de potencia COOLiRFET™, Infineon
Los MOSFET de potencia COOLiRFET™ cualificados para automoción de Infineon, logran una resistencia en funcionamiento (RDS(on)) muy baja, una pérdida de conducción muy baja, por lo que ofrecen velocidades de conmutación de señales de corriente alta muy eficaces. Proporcionan una mayor eficacia, densidad de potencia y fiabilidad en entornos con señales hostiles con un sólido rendimiento de avalanchas, pérdida de conducción baja, velocidades de conmutación rápidas y temperatura de conexión máxima 175 °C.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
2
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Empaque de Producción (Tubo)
2
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
240 A, 397 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
294000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
210 nC @ 10 V
Profundidad
9.65mm
Material del transistor
Si
Series
COOLiRFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.83mm
Datos del producto
MOSFET de potencia COOLiRFET™, Infineon
Los MOSFET de potencia COOLiRFET™ cualificados para automoción de Infineon, logran una resistencia en funcionamiento (RDS(on)) muy baja, una pérdida de conducción muy baja, por lo que ofrecen velocidades de conmutación de señales de corriente alta muy eficaces. Proporcionan una mayor eficacia, densidad de potencia y fiabilidad en entornos con señales hostiles con un sólido rendimiento de avalanchas, pérdida de conducción baja, velocidades de conmutación rápidas y temperatura de conexión máxima 175 °C.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.