MOSFET Infineon AUIRFR3504, VDSS 40 V, ID 87 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
87 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
140000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Altura
2.39mm
Serie
HEXFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N para automoción, Infineon
La amplia cartera de dispositivos de canal N sencillos de Infineon con certificación AECQ-101 para automoción sirve para una gran variedad de requisitos de alimentación en muchas aplicaciones. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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N
Maximum Continuous Drain Current
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40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
140000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Altura
2.39mm
Serie
HEXFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N para automoción, Infineon
La amplia cartera de dispositivos de canal N sencillos de Infineon con certificación AECQ-101 para automoción sirve para una gran variedad de requisitos de alimentación en muchas aplicaciones. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
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