MOSFET Infineon AUIRF3205Z, VDSS 55 V, ID 110 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Serie
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
170 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
76 nC @ 10 V
Ancho
4.83mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
16.51mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N para automoción, Infineon
La amplia cartera de dispositivos de canal N sencillos de Infineon con certificación AECQ-101 para automoción sirve para una gran variedad de requisitos de alimentación en muchas aplicaciones. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
170 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
76 nC @ 10 V
Ancho
4.83mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
16.51mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N para automoción, Infineon
La amplia cartera de dispositivos de canal N sencillos de Infineon con certificación AECQ-101 para automoción sirve para una gran variedad de requisitos de alimentación en muchas aplicaciones. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
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