Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
22,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Series
AIM
Tipo de Encapsulado
PG-TO247-4
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
País de Origen
China
P.O.A.
MOSFET Infineon AIMZH120R120M1TXKSA1, VDSS 1200 V, ID 22 A, PG-TO247-4 de 4 pines
1
P.O.A.
MOSFET Infineon AIMZH120R120M1TXKSA1, VDSS 1200 V, ID 22 A, PG-TO247-4 de 4 pines
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Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
22,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Series
AIM
Tipo de Encapsulado
PG-TO247-4
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
País de Origen
China


