Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
750 V
Series
AIM
Tipo de Encapsulado
PG-HDSOP-22
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
22
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
País de Origen
Malaysia
P.O.A.
MOSFET Infineon AIMDQ75R060M1HXUMA1, VDSS 750 V, ID 34 A, PG-HDSOP-22 de 22 pines
1
P.O.A.
MOSFET Infineon AIMDQ75R060M1HXUMA1, VDSS 750 V, ID 34 A, PG-HDSOP-22 de 22 pines
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Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
750 V
Series
AIM
Tipo de Encapsulado
PG-HDSOP-22
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
22
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
País de Origen
Malaysia


