Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
AIK
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-7
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
País de Origen
Malaysia
P.O.A.
MOSFET Infineon AIKBE50N65RF5ATMA1, VDSS 650 V, PG-TO263-7 de 7 pines
1
P.O.A.
MOSFET Infineon AIKBE50N65RF5ATMA1, VDSS 650 V, PG-TO263-7 de 7 pines
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
AIK
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-7
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
País de Origen
Malaysia


