Driver de puerta MOSFET 6ED003L06F2XUMA1, 420 mA DSO 28 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonOutput Current
420 mA
Voltaje de suministro
17.5V
Conteo de Pines
28
Tipo de Encapsulado
DSO
Tiempo de Bajada
45ns
Número de salidas
6
Tiempo de Subida
100ns
Topología
Aislamiento galvánico
High and Low Sides Dependency
Independiente
Número de Drivers
6
Retardo de tiempo
800ns
Tipo de Puente
Full Bridge
Polarity
No Inversión
Tipo de montaje
Surface Mount
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
CI de variador de puerta trifásico EiceDRIVER, Infineon
CI de puerta trifásico de 600 V MOSFET e IGBT de Infineon basado en tecnología probada SOI. La ausencia de estructuras parásitas de tiristor en estos resistentes dispositivos evita el latch-up en todas las condiciones de funcionamiento normales. Los conductores incluyen detección de subtensión y sobretensión y pueden controlarse mediante señales compatibles con CMOS o LSTTL hasta un mínimo de 3,3 V.
Tensión de bloqueo máximo: 600 V
Seis variadores independientes
Control mediante lógica de 3,3 V
Detección de subtensión con histéresis
Detección de sobrecorriente
MOSFET & IGBT Drivers, Infineon (International Rectifier)
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28
Tipo de Encapsulado
DSO
Tiempo de Bajada
45ns
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High and Low Sides Dependency
Independiente
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6
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Tipo de Puente
Full Bridge
Polarity
No Inversión
Tipo de montaje
Surface Mount
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
CI de variador de puerta trifásico EiceDRIVER, Infineon
CI de puerta trifásico de 600 V MOSFET e IGBT de Infineon basado en tecnología probada SOI. La ausencia de estructuras parásitas de tiristor en estos resistentes dispositivos evita el latch-up en todas las condiciones de funcionamiento normales. Los conductores incluyen detección de subtensión y sobretensión y pueden controlarse mediante señales compatibles con CMOS o LSTTL hasta un mínimo de 3,3 V.
Tensión de bloqueo máximo: 600 V
Seis variadores independientes
Control mediante lógica de 3,3 V
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