MOSFET Infineon 2N7002H6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
OptiMOS
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,4 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 194
Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
$ 230,86
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 100 - 100 | $ 194 | $ 19.400 |
| 200 - 400 | $ 184 | $ 18.400 |
| 500 - 900 | $ 139 | $ 13.900 |
| 1000 - 1900 | $ 83 | $ 8.300 |
| 2000+ | $ 79 | $ 7.900 |
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N
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
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Longitud
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Si
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