MOSFET Infineon 2N7002H6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 752-7773PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: 2N7002H6327XTSA2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Series

OptiMOS™

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,4 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.9mm

Ancho

1.3mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1mm

Datos del producto

MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

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N

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SOT-23-5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,4 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.9mm

Ancho

1.3mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1mm

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